Ученые разработали замену флэш-памяти

Научные сотрудники корпорации Intel с коллегами из Numonyx нашли способ значительно повысить емкость памяти без увеличения размеров с помощью наложения слоев фазовой памяти друг на друга. Эксперты считают, что фазовая память имеет хорошие шансы в будущем стать заменой флеш-памяти, передает CNews.

Phase Change Memory (PCM) – новый тип энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Впервые о памяти на базе фазовых переходов в агрегатном состоянии вещества было заявлено около 30 лет назад.

В рамках совместного исследовательского проекта компании Intel и Numonyx разработали метод производства вертикально интегрированных ячеек PCM(S). Каждая ячейка содержит два элемента, находящиеся в параллельных слоях: PCM и переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS). В совокупности PCM(S) формируют узловой массив. Возможность накладывать слои PCM(S)-ячеек друг на друга позволяет увеличивать плотность хранения информации, сохраняя характеристики однослойной фазовой памяти.

Использовать PCM в качестве элемента хранения данных пытались давно. Но раньше применялось сразу несколько типов переключающих элементов. Это приводило к ограничениям массивов по размеру и эффективности.

Инженеры Intel и Numonyx смогли решить эту проблему. Разработчики продемонстрировали, что сброс информации, хранимой в ячейках, выполняется за 9 наносекунд, и сама память не теряет свойств даже в после 1 миллиона циклов перезаписи.

«Сделан многообещающий научный прорыв. Новый формат памяти очень важен. Традиционная флэш-память подходит к пределу своих физических и функциональных возможностей. А потребность в памяти остается. Все больше и больше памяти необходимо для самых различных продуктов – от мобильных устройств до центров обработки данных», - отметил Грег Этвуд, сотрудник Numonyx, специалист в области технологий.

Более подробная информация по открытию будет приведена в совместном докладе «Многослойная узловая память на базе фазовых переходов» (A Stackable Cross Point Phase Change Memory) на конференции International Electron Devices Meeting в Балтиморе 9 декабря.

О начале поставок многослойной фазовой памяти в Intel пока не говорят.

Исследованиями в данном направлениями также занимаются STMicroelectronics, IBM и другие компании.

Ученые считают, что память на фазовых переходах в ближайшие годы будет наиболее подходящей заменой современной флэш-памяти. Предполагается, что со временем PCM будет использоваться в сотовых телефонах, цифровых камерах, MP3-плеерах, компьютерах и другом оборудовании.